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手上有个6061的件,客户要微弧氧化,膜厚要求≥50μm,盐雾480h。我之前做的基本都是20-30μm这种装饰性的,厚一点的也就40出头,50真没怎么干过。
想问下各位,电参数(电流密度、频率、占空比)怎么调?还是说主要靠延长氧化时间?电解液体系是硅酸钠的,常温。有人做到过稳定50以上的吗,心里没底怕交不了货。
50μm不算太离谱,我这边6061做到过55左右稳定批量。关键几个点:电流密度别急着拉,先恒流阶段给150-200A/m²,等电压自然爬到480V左右再切入恒压,保持时间40-60分钟;占空比建议30-40%,频率400-500Hz,太高了膜致密但长得慢,太低了粗糙还容易烧蚀。电解液硅酸钠10-12g/L,NaOH 1-2g/L,KOH少量,pH控12-13。温度一定要降下来,35度以下最好,超过40膜层会发疏松。还有一步别省:氧化完做封闭处理,我们用硅烷封闭,盐雾480h没问题。光靠延长时间硬怼是怼不出来的,时间太长反而粉化。
你先确认下基材状态吧,6061的T6和O态做出来差挺多的,T6致密度高好长一些。还有就是客户要50μm是单边还是双边?这个经常有人搞混,如果双边就是一边只要25,那你现在工艺差不多够用了。
电解液我站磷酸钠体系,硅酸钠做大厚膜容易出现边缘烧蚀和中间长不上去的情况,均匀性不好控。磷酸钠体系上50μm更稳,膜层也致密些,盐雾比硅酸钠强一截。你可以小批量试两挂对比一下。